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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STD6N65M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V34305+￥4.993725+￥4.623850+￥4.3648100+￥4.2539500+￥4.17992500+￥4.08745000+￥4.050410000+￥3.9949 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPD07N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V74015+￥3.865125+￥3.578850+￥3.3783100+￥3.2925500+￥3.23522500+￥3.16365000+￥3.135010000+￥3.0920 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHB12N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 12A, TO-263-3788610+￥7.0980100+￥6.7431500+￥6.50651000+￥6.49472000+￥6.44745000+￥6.38827500+￥6.340910000+￥6.3172 -
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。 ### 特点 低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor962510+￥11.6424100+￥11.0603500+￥10.67221000+￥10.65282000+￥10.57525000+￥10.47827500+￥10.400510000+￥10.3617 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHB6N65E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V545110+￥10.0464100+￥9.5441500+￥9.20921000+￥9.19252000+￥9.12555000+￥9.04187500+￥8.974810000+￥8.9413 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPD60R450E6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V278110+￥7.9716100+￥7.5730500+￥7.30731000+￥7.29402000+￥7.24095000+￥7.17447500+￥7.121310000+￥7.0947 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPD65R225C7ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V363710+￥8.6196100+￥8.1886500+￥7.90131000+￥7.88692000+￥7.82955000+￥7.75767500+￥7.700210000+￥7.6714 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 2 V56405+￥2.756725+￥2.552550+￥2.4096100+￥2.3483500+￥2.30752500+￥2.25645000+￥2.236010000+￥2.2054 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPD60R950C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V99995+￥3.326425+￥3.080050+￥2.9075100+￥2.8336500+￥2.78432500+￥2.72275000+￥2.698110000+￥2.6611 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V5249
